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（1）真空度

磁控濺射需在一定真空度下進行，高于或低于此真空度均不能濺射，且磁控濺射處于低氣壓時濺射粒子能量較高，高氣壓時濺射粒子能量較低，不同工作氣壓下沉積的薄膜質量差異較大。

（2）O₂流量

    O₂流量的大小對制備高質量的Al₂O₃薄膜十分重要，低O₂流量下制備的薄膜純度較低，絕緣性差，高O₂流量制備的薄膜O原子含量高，薄膜質量差。

（3）本底真空度

不同本底真空濺射Al₂O₃薄膜時薄膜質量和沉積速率差異較大，高本底真空濺射薄膜，沉積速率快，雜質氣體較少，但是恢復真空時間長，低本底真空壓強沉積速率慢，但是恢復真空時間短。

（4）直流濺射功率

直流磁控濺射制備Al₂O₃薄膜時，濺射靶功率影響濺射速率、沉積速率和薄膜質量等參數；濺射靶功率較低時薄膜沉積速率較低，濺射靶功率較高時會出現靶中毒現象且靶材尺寸會限制濺射靶功率大小。

（5）射頻濺射功率

射頻濺射制備Al₂O₃薄膜時，濺射靶功率越大其濺射速率越大，但不無限增加濺射靶功率。雖然射頻濺射不會出現靶中毒現象，但射頻濺射靶材加載功率過高，反射功率就會異常增大，將對濺射設備造成損壞。

內容摘自《直流、射頻磁控濺射制備Al2O3薄膜工藝探索及其性能的研究》