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4H-SiC晶體基片
產品概述：
SiC屬于第三代半導體基礎材料，禁帶寬度大于2eV。其中4H-SiC禁帶寬可以達到3.26eV，遷移率高：900cm2/V.s。
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產品名稱

 4H-SiC晶體基片
技術參數

晶體結構：                    

六方晶系                                  

晶格常數：

a=3.08?  c=10.05?

熔點2827℃

硬度(Mohs)：         

≈9.2

方向：

生長軸或偏(0001) 3.5°

密度（g/cm3）3.16

帶隙：

2.93eV (間接)

導電類型：

N導電

電阻率:

0.1-0.01 ohm-cm

介電常數：

e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

導電率：

5W / cm·K

生長方式：

MOCVD(有機金屬化學氣相沉積）
產品規格

常規晶向：                      

常規尺寸：

10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm                     

拋光情況：

單拋、雙拋

拋光面：

常規單拋為“Si” 面拋光，可按要求做“C”面拋光

拋光面粗糙度：

< 15A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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