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Si晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 化學(xué)符號(hào)為Si,主要用途有：制作半導(dǎo)體器件、紅外光學(xué)器件及太陽(yáng)能電池襯底等材料
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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Si 單晶基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=5.4301 ? | 摻雜類型： | N型不摻雜、N型摻P、N型摻As、N型摻Sb、P型摻B | 硬度（mohs): | 6.5 | 電阻率： | 10000～0.001Ω.cm | 超導(dǎo)率（w/m.k): | 149 | 密度： | 2.329（g/cm3） | 熔點(diǎn)： | 1414℃ | 熱膨脹系數(shù)（/k): | 2.6×10-6 | 生長(zhǎng)方法： | CZ和FZ |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | 、、 | 常規(guī)尺寸： | Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋、細(xì)磨 | 拋光面粗糙度： | < 10A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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