- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
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- 其它實驗室設(shè)備
Nb:SrTiO3晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 摻鈮鈦酸鍶單晶與純鈦酸鍶有相似的結(jié)構(gòu)，但有電導(dǎo)性。摻鈮鈦酸鍶的電阻率在0.1?–?0.001?W-cm之間變化隨著摻鈮濃度在0.1-0.001wt%之間不同。傳導(dǎo)的單晶基片為薄膜和器件提供了電極。科晶提供高質(zhì)量低成本的摻鈮鈦酸鍶基片。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
摻鈮鈦酸鍶(Nb:SrTiO3)晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=3.905 ? | Nb摻雜： | 0.7% , 0.5% , 0.05% | 密度： | 5.175 g/cm3 | 熔點： | 2080°C | 硬度： | 6 mohs | 熱膨脹系數(shù)： | 10.4×10-6/℃ | 在10 GHz的損耗正切： | ~5×10-4 @ 300K，~3×10-4 @ 77K | 化學穩(wěn)定性： | 不溶于水 | 生長方法： | 熔焰法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： |
| 晶向公差： | ±0.5° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm, 5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋、細磨 | 拋光面粗糙度： | <5A |
注：可根據(jù)客戶需求提供特殊的尺寸和方向.
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標準包裝
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等離子清洗器專業(yè)清洗（詳情請點擊）1000級超凈室，100級超凈袋封裝
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