- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
SBN晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 鈮酸鍶鋇(SBN)晶體是一個(gè)很好的光學(xué)和光折變材料,由于其優(yōu)良的光折變、電光、非線性光學(xué)和介電性能，并且電光系數(shù)高達(dá)1400?pm/V,?使其成為新一代設(shè)備的潛力晶體。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶，購(gòu)買前請(qǐng)與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
SBN 晶體基片
|
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 四方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=3.946? c=12.46? | 密度： | 5.4g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1500°C | 莫氏硬度： | 5.5 | 導(dǎo)熱系數(shù)： | 0.006 W/cm·K | EO常量： | r33:1300pm/V | 高光學(xué)均勻常數(shù)： | <1×10-4 | 介電常數(shù)： | E11=450 E32=900 | 居里溫度： | 70-80℃ | 傳輸范圍： | 400-6000 nm | 吸收系數(shù)： | 0.3cm-1 @ 0.44μm | 壓電系數(shù)： | D33 = 130 m/V | 折射率： | no=2.312 ne=2.273 |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | <001>、<100> | 晶向公差： | ±2° | 常規(guī)尺寸： | 10x5x0.5mm；10x10x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | < 15A |
|
| 晶體缺陷
|
人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
|
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶，購(gòu)買前請(qǐng)與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號(hào)
查看誠(chéng)信檔案
