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AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜
關鍵字：
Al0.1GaN0.9 epitaxial template on Sapphire N type
產品概述：
免責聲明： 本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。 如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
產品名稱

Al2O3+Al0.1GaN0.9?薄膜N型不摻雜（Al0.1GaN0.9?epitaxial?template?on?Sapphire??N?type ）
常規尺寸

dia2",單拋
標準包裝

1000級超凈室及100級超凈紙真空包裝或單片盒裝
技術參數


Al2O3晶向：

c-axis (0001) +/- 1.0 o

導電類型：

N 型不摻雜

薄膜厚度：

5um，研究級，單拋

電阻率：

< 0.5 Ohm-cm

正面Ga面情況：

As-grown

反面情況：

as-received finish

可用區域：

>90% ；Edge Exclusion Area 1mm

數據圖：

詳細數據圖請點擊
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