| 產品信息(Co3O4/NiO核殼納米線陣列) | 四氧化三鈷/氧化鎳(Co3O4/NiO)核殼納米線陣列其支撐核為介孔四氧化三鈷納米線，外殼為氧化鎳納米片。 該核殼納米陣列經水熱法和化學浴法結合制備而成，可以在多種導電和非導電基地（如碳布、泡沫鎳、鈦片、鎳片、不銹鋼片、泡沫石墨烯、玻璃等）上生長。 內核的四氧化三鈷納米線平均直徑80-100nm，納米線由相互交聯的粒徑為4-5nm的納米顆粒構成，且納米顆粒間的空隙約為3-5nm。 外殼氧化鎳納米片（直徑約10-20納米）交互纏繞生長在四氧化三鈷納米線核上構成多孔異質結構的核殼納米陣列。 核殼納米線的直徑300-400nm, 陣列整體長度約為5微米。 樣品宏觀尺寸不超過寬度3.5厘米´長度4.5厘米。 該樣品的宏觀色澤呈黑色。 產品信息(CoO/NiO核殼納米線陣列)： 氧化亞鈷/氧化鎳(CoO/NiO)核殼納米線陣列和上述四氧化三鈷/氧化鎳核殼納米線陣列的制備方法和形貌尺寸均類似，唯一不用在于前期通過不同熱處理工藝生成氧化亞鈷納米線核心，然后再以此為基礎生長氧化鎳納米片交聯外殼。 代表性樣品的掃描電鏡和透射電鏡照片如下： FTO玻璃和泡沫鎳基底上：
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