- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
CdS晶體
- 產(chǎn)品概述：
- II - VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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硫化鎘(CdS)晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=4.1367 c=6.7161 | 密度： | 4.821g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1287oC | 折射率： | no=1.708 ne=1.723 | 導(dǎo)熱系數(shù)： | 2.7W /m.k @ 300K | 透過波長： | 2.5 ~ 15 (>71%)um | | 介電常數(shù) | 8.9 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | (0001) | 晶向公差： | ±1° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | 15A |
注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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