- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
CdTe晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 碲化鎘(CdTe)晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線檢測,紅外光學(xué)，外延基片，蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
碲化鎘(CdTe)晶體基片
|
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a = 6.483? | 密度： | 5.851g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1047℃ | 熱導(dǎo)率： | 6.3W /m.k at 300K | 熱膨脹系數(shù)： | 5.9x10-6/K | 透過波長： | 0.85 ~ 29.9μm | 折射率： | 2.65@10μm | | 介電常數(shù)： | 11@1MHZ |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | (100)、（110）、（111） | 晶向公差： | ±1° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | <15A |
注：也可提供多晶的，尺寸可按照客戶要求加工，請發(fā)郵件確定信息。
|
| 晶體缺陷
|
人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號
查看誠信檔案
