- 加熱爐設備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設備
- 壓片設備
- 輥壓設備
- 切割設備
- 磨拋設備
- 清洗設備
- 電池研發設備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設備
Ce:YAG晶體
- 產品概述：
- 長適用于光電二極管作為光探測器和探測輕帶電粒子時使用。且不潮解、耐高溫、熱力學性能穩定，還可應用于極端的探測環境中。
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
|
Ce:YAG 摻鈰釔鋁石榴石單晶基片
|
| 技術參數
|
晶體結構： | 六方晶系 | 晶格常數： | a =12.01 ? | 純度： | >99.99％ | 密度： | 4.55g/cm3 | 硬度： | 8.5( mohs) | 熔點： | 1950℃ | 熱膨脹： | 0.8-0.9 x10-6/ ℃ at 0- 250 ℃ | 折射率： | 1.82 | 發射波長： | 550nm | 生長方法： | 提拉法 |
|
| 產品規格
|
常規晶向： | （111） | 晶向公差： | ±0.5° | 常規尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | Ra<5A |
注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
|
| 晶體缺陷
|
人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。
|
| 標準包裝
|
1000級超凈室，100級超凈袋、插盒或單片盒封裝
|
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
查看誠信檔案
皖公網安備 34012302000974號
