- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
Ce:YAG晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 長適用于光電二極管作為光探測器和探測輕帶電粒子時使用。且不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，還可應(yīng)用于極端的探測環(huán)境中。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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Ce:YAG 摻鈰釔鋁石榴石單晶基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 晶格常數(shù)： | a =12.01 ? | 純度： | >99.99％ | 密度： | 4.55g/cm3 | 硬度： | 8.5( mohs) | 熔點： | 1950℃ | 熱膨脹： | 0.8-0.9 x10-6/ ℃ at 0- 250 ℃ | 折射率： | 1.82 | 發(fā)射波長： | 550nm | 生長方法： | 提拉法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （111） | 晶向公差： | ±0.5° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | Ra<5A |
注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋、插盒或單片盒封裝
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