- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
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?-Ga2O3單晶基片
- 產(chǎn)品概述：
- ?-Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測器。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
?-Ga2O3單晶基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 單斜晶系 | 晶格常數(shù)： | a=12.23A,b=3.04A, c=5.80A, ?=103.7° | 密度： | 5.95g/cm3 | 熔點： | 1725oC | 摻雜類型： | N型 | 電阻率： | R≤0.2Ω·cm | | 遷移率 | 300cm2/v·s | 禁帶寬： | 4.8-4.9V |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | (100) | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.7-0.8mm. | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋真空包裝 |
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