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MgO:LiNbO3晶片
- 產品概述：
- 純同成份鈮酸鋰晶體最大的缺點是抗激光損傷闕值很低，這限制了它的應用領域。當摻入5mol%MgO后，所生長MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個數量級，極化反轉電壓從21KV/mm降至6KV/mm，紫外吸收邊紫移至310mm，OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應用范圍。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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光學級摻鎂鈮酸鋰（MgO:LiNbO3)晶片
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| 產品規格
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晶體結構： | 三方晶系 | 晶格常數： | a=5.147? c=13.856? | 密度： | 4.7g/cm3 | 熔點： | 1253℃ | 生長方法： | 提拉法 |
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| 產品規格：
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常規晶向： | Z cut | 晶向公差： | ±0.5° | 常規尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋、細磨 |
注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
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| 晶體缺陷：
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人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。
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| 標準包裝：
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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