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氮化鎵(GaN)晶體基片
- 產品概述：
- GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數
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制作方法： | HVPE（氫化物氣象外延法） | 傳導類型： | N型；半絕緣型 | 電阻率： | R<0.05 Ω.cm； R | 表面粗糙度： | <0.5nm | 位錯密度： | <5x106Ω.cm | 可用表面積： | >90% | TTV: | ≤15um | Bow: | ≤20um |
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| 產品規格
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晶體方向: 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝 |
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皖公網安備 34012302000974號
