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Ge晶體基片
- 產品概述:
- 化學符號為Ge?,主要用途有:制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底等材料。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
技術參數
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密度: | 5.765 g/cm3 ; | 熔點: | 937.4 ℃; | 熱傳導性: | 640; | 摻雜物質: | 不摻雜;摻Sb;摻In或Ga; | 類型: | /;N;P; | 電阻率W.cm: | >35;0.05;0.05-0.1; | EPD: | < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 |
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常規尺寸
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晶體方向: <111>,<100>and<110>± 0.5° 或特殊的方向; 標準拋光片尺寸:Ф1"x 0.3mm;Ф2"x0.5mm; (<110> Ra<5A,不化拋) 注:也可根據客戶需求提供特殊尺寸和方向的基片 |
備注
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1000級超凈室100級超凈袋單片盒或25片插盒封裝 |
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