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SOI基片
型號:
Si+SiO2+Si
產(chǎn)品概述:
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常規(guī)尺寸

dia4" 鍍膜層:20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped

技術(shù)參數(shù)

國產(chǎn)SOI:膜層厚度可以按照客戶需求加工

①頂層2um±0.5(5點(diǎn)), BOX層2um±0.1 ,  P型,總厚度大約621um, 平整度LTV < 1um

②頂層3um±0.5(5點(diǎn)), BOX層2um±0.1,P型,總厚度大約622um, 平整度LTV < 1um

電阻率Ω.cm:15-25 ohm.cm;

進(jìn)口SOI:

點(diǎn)擊查看:http://mtixtl.com/soiwafersilicononinsulator.aspx



常規(guī)尺寸

SOI

φ4″

SOI

φ4″

SOI

φ6″

SOI

φ6″-

SOI

φ6″-


備注

1000級超凈室100級超凈袋單片盒或25片插盒封裝

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