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硅(Si)晶體基片
產品概述:
化學符號為Si,主要用途有:制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底等材料。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
技術參數

摻雜物質:

摻B

摻P

類型:

P

N

電阻率Ω.cm:

10-3 ~ 40

10-3 ~ 40

EPD (cm-2 ):

≤100

≤100

氧含量( /cm3 ):

≤1.8 x1018

≤1.8 x1018

碳含量( /cm3 ):

≤5x1016

≤5x1016

常規規格

晶體方向:<111>、<100>、<110> ± 0.5°  或  特殊的方向;

常規尺寸:dia1"x 0.30 mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm;

表面粗糙度:Ra<10A

可提供熱氧化SiO2層的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基片!歡迎您的咨詢!

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋單片盒或25片插盒封裝

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