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氧化硅晶體基片
- 型號：
- SiO2
- 產(chǎn)品概述：
- 氧化硅(SiO2)單晶水晶片是一種極好的基片用于無線通訊工業(yè)的微波濾波器，科晶公司可以為研究和工業(yè)生產(chǎn)提供高質(zhì)量最低價格的水晶片，真誠歡迎您的垂詢！
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如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數(shù)
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晶體結(jié)構: | 六方 a=4.914 ? c=5.405 ? | 生長方法: | 水熱 | 硬度: | 7.0Mohs | 密度: | 2.684g/cm3 | 熔點: | 1610oC( 相轉(zhuǎn)變點：573.1oC) | 熱容: | 0.18cal/gm | 熱電常數(shù): | 1200mV /oC @ 300oC | 熱導率: | 0.0033 cal/cm/oC | 熱膨脹系數(shù) (x10-6/ oC): | a11: 13.71 a33: 7.48 | 折射率: | 1.544 | Q值: | 1.8 x 106 min. | 聲速聲表: | 3160 (m/sec) | 頻率常數(shù): | 1661 (kHz/mm) | 壓電偶合: | K2 (%) BAW: 0.65 SAW:0.14 | 包裹物: | IEC Grade II | TTV: | <5um |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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方向： | Y, X 或Z 切：在30o ~ 42.75o ± 5分范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)任意值； 主定位邊：根據(jù)客戶要求定方向±30分 ； 次定位邊：根據(jù)客戶要求定方向 ； 籽晶：位于中心，寬度 | 拋光面： | 外延拋光：單拋或雙拋Ra<5? ； 工作區(qū)域：基片直徑-3mm ； 彎曲度：φ3"<20um，φ4"<30um ； 工作區(qū)域無崩邊，在邊緣，崩邊寬度<0.5mm ； 坑和劃痕：每片<3，每100片<20 . | 標準厚度： | 0.5mm ± 0.05mm | 標準直徑： | dia2" (50.8mm ) dia3"(76.2mm) dia4"(100mm) ±0.5mm 主定位邊：22±1.5mm (f 3" ) 32±3.0mm ( f 4" ) 次定位邊：10mm±1.5mm |
注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向
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| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋包裝或者單片盒以及25片插盒裝 |
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