- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
KTN (KTa?1-0.33?Nb0.33O3)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- KTN是透明的各向同性晶體，KTa0.63Nb0.37O3的電光系數(shù)約為600pm / V，是傳統(tǒng)LiNbO3晶體的約20倍.KTN晶體的擊穿場(chǎng)約為3200V / mm。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶，購(gòu)買前請(qǐng)與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
KTN (KTa 1-0.33 Nb0.33O3)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=3.989-4.1 ? (依據(jù)摻Nb量) | 密度： | 7.015 g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1350 ℃ | 熱導(dǎo)率： | 0.17 w/m.k at 300k | 電光系數(shù)： | r33: > 600 pm/V | 折射率： | 2.234 | 矯頑磁場(chǎng)： | Ec = 250 V/mm | 透過范圍： | 400 nm - 4000 nm | 生長(zhǎng)方法： | 頂部籽晶熔融法 |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | （100） | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm，5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 雙拋 | 表面粗糙度： | < 10A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
|
| 晶體缺陷
|
人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶，購(gòu)買前請(qǐng)與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號(hào)
查看誠(chéng)信檔案
