| 設備名稱與型號 | 紫外臭氧清洗機 PCE-22-LD （科晶實驗室、科晶技術部2022.6.17審核） |
| 產(chǎn)品特點 | · 僅室內(nèi)使用；海拔高度5500英尺以內(nèi)； · 溫度范圍：5-40℃； · 最大相對濕度80%，最高30.5℃，40℃線性降至50%相對濕度； · 主電源波動不超過額定電壓的10%； · 污染等級2；臭氧水平（環(huán)境）測量＜45ppb · 去除分子級別的污染物 · 清洗MEMS器件 · 清洗各種基片，如si,Ge,GaAs和各種氧化物單晶基片 |
| 基本參數(shù) | · 輸入電壓：AC220V 50/60HZ · 功率：最大1000W（加熱功率為800W） |
| 腔體＆樣品臺 | · 不銹鋼殼體 · 抽屜式樣品臺，以便放樣取樣（如下圖1） · 基片臺尺寸：L310*W320mm · 臭氧通風裝置安裝在腔體上 · 樣品臺與紫外燈的距離：20mm-40mm（圖2） · 樣品臺可以加熱，最高溫度可達150℃ · 可設置8段升降溫程序，控溫精度為+/-1℃ · 照射設定時間：1min-9999min
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| 觸摸屏＆加熱 | · 一個4.5英寸的觸摸屏控制設備的加熱以及清洗功能 · 點擊觸摸屏上的“溫控程序”即可進入程序設置界面，內(nèi)置溫控儀表采用PID方式調(diào)節(jié)，可設置30段升溫程序，設備只顯示8段升溫程序，可根據(jù)實際要求進行添加 · 設備加熱前需進行預熱處理
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| 排氣口 | · 直徑為80mm的排氣口安裝在儀器后端 · 請將鋁波紋管與排氣口連接，將臭氧排出到實驗室外 · 橡膠管長度8米
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| UV 燈管 | ·功率:200W; ·輻射面積:L200*W200mm; ·波長:254nm 和185nm · 可以清潔直徑最大為12英寸×35mm的晶體晶片
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| 設備外形尺寸 | ·555*620*350mm(長*寬*高) ·打開高為 560mm |
| 凈重 | ·約36KG |
| 質(zhì)保 | ·一年保修，終身技術支持 |
使用注意事項 | · UV裝置應由工礦企業(yè)、院校等相關專業(yè)人員操作或指導使用。 · 嚴禁用眼睛直接看點亮中的UV燈管，否則會對眼睛造成傷害，非常危險。 · O3臭氧是刺激性臭及強氧化性的氣體，對身體有害。應將裝置產(chǎn)生的臭氧利用排氣管道將其排向室外。 · 應避免在高溫、多濕、多塵、腐蝕氣體、酸堿性等的環(huán)境中使用。 · 為保護生命，請務必連接接地線，并保證可靠。 · 清掃等作業(yè)時必須先將電源切掉。 · 未經(jīng)許可不可對本裝置進行改造或加工，本公司一概不負對已改造、加工設備的責任。 |
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