| 設備名稱型號 | 三靶等離子磁控濺射鍍膜儀（可選直流射頻電源）-VTC-3RF |
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| 主要特點 | · 標配的石英腔體（也可選配金屬腔體）方便觀察 · 相比傳統濺射儀，拆裝方便 · 樣品臺可旋轉加熱 · 可濺射金屬和氧化物 |
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| 基本參數 | ·電源：AC 220V 50/60HZ ·功率：＜2.4KW ·包括 13.5 MHz、帶手動匹配的 100 W 射頻發生器，并連接到濺射頭 ·連續工作時間：
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| 濺射靶頭 | · 三個1英寸或者2英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接 · 靶材尺寸: 1英寸靶頭要求：φ25.4mm*（0.1-3mm）厚度 2英寸靶頭要求：φ50mm*（0.1-3mm）厚度 · 1英寸磁控濺射頭可承受最大射頻功率：100W，可承受最大直流功率：250W ·2英寸磁控濺射頭可承受最大射頻功率：300W，可承受最大直流功率：500W ·法蘭上內置一個手動操作的百葉窗 ·包括 10 L/min 循環冷水機組，用于冷卻濺射頭 ·靶頭可傾斜角度：0-25°可調 ·靶材與樣品臺之間的距離可調
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| 濺射靶材 | ·目標尺寸要求：最大 1“ 直徑 x 1/8” 厚度 ·濺射距離范圍：50 – 80 mm 可調 ·濺射角度范圍：0 – 25°可調 ·包括 1“ 直徑的銅靶和 Al2O3 靶，用于演示測試 ·可根據要求提供各種氧化物 1“ 濺射靶材，但需額外付費 ·對于靶材粘接，包括 1 mm 和 2 mm 銅背板。 |
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| 真空腔室與法蘭 | ·真空室：外徑 256 毫米 x 內徑 238 毫米 x 高度 276 毫米，由高純度石英制成 ·密封法蘭：直徑274毫米鋁制，帶高溫硅膠O型圈 ·包括不銹鋼屏蔽籠，用于 100% 屏蔽來自腔室的射頻輻射 ·法蘭蓋上安裝了一個可手動操作的擋板，用于靶材的預濺射，法蘭蓋上包含一個φ6.35的卡套接頭用于連接進氣管。 ·一個不銹鋼網罩罩住整個石英腔體，以屏蔽等離子體 ·腔室真空度：<1.0×10-2 Torr （采用雙極旋片真空泵）,<5×10-5torr （采渦旋分子泵） ·如果需要更高真空度，可以定做不銹鋼真空腔室（真空度可以達到5*10-6torr以下） ·一個升降開關控制上法蘭的升降
· 腔體進氣口為Φ6.35mm的不銹鋼雙卡套接頭，通過聚四氟管可與氣瓶連接，并通過一個精密微量調節閥控制進氣量的大小。 |
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| 可旋轉加熱樣品臺 | · 載樣臺可旋轉（為了制膜更加均勻）并可加熱 · 載樣臺尺寸：直徑50mm （最大可放置2英寸的基片） · 旋轉速度：1- 10 rpm（可調速） · 樣品臺的最高加熱溫度為：700℃＜1h 500℃可長期使用 · 控溫精度：±10℃ · 樣品臺加熱功率：120W · 一款YD518P型溫度控制器 · PID自動控溫系統 · 智能化30段可編程控制 · 默認DB9 PC通信連接端口 · 通過MET認證 · 可選購電腦溫度控制軟件(用于YD518P系列控制器)用于控制升溫曲線和導出數據
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| 射頻/直流電源 |
· 設備擁有兩根同軸電纜：直流電源同軸電纜和射頻電源同軸電纜 · 射頻/直流電源可隨意更換：將直流或者射頻同軸電纜連接在轉換器上，即可使用轉換器控制靶頭濺射 · 每次只能由一個靶頭濺射，且每次切換靶頭濺射時，需先暫停射頻/直流電源 |
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| 真空顯示單元 | · 真空計型號：ZDZ-52T · 測量范圍：1.0×105Pa~1.0×10-1Pa · 有效范圍：3.0×103Pa~1.0×100Pa · 配接硅管：ZJ-52T/KF16 · 面板尺寸：96*96 mm · 真空計配套的規管只能測量空氣和氮氣，有其他氣體成分比例較大的場合需另外修正。 |
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| 真空系統（選配） | · 抽真空接口為KF25接口 · 真空泵型號：VRD-16 · 抽氣速率：4.4 L/S · 電機功率：750 W · 極限壓強：5×10-1Pa（不帶負載）
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| 薄膜測厚儀（可選） | · 一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上，可實時監測薄膜的厚度，分辨率為0.10 ? · LED顯示屏顯示，同時也輸入所制作薄膜的相關數據
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| 水冷設備（選配） | · 型號：KJ-5000 · 工作電流：1.4-2.1A · 制冷量：2361Btu/h · 尺寸：55×28×43cm（長×寬×高） · 水箱容量：6L · 水流速率：16L/min
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| 設備外形尺寸 | 700*700*1900mm（長*寬*高)
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| 重量 | 約80KG |
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| 使用提示 | · 為了達到理想的薄膜厚度，需要多次濺射鍍膜 · 在濺射鍍膜前，確保濺射頭、靶材、樣品和樣品臺的潔凈 · 要達到薄膜與基底良好結合，請在濺射前清潔基材表面，可選購本公司的清洗設備進行清潔 |
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| 注意事項 | · 石英腔室內氣壓不可高于0.02MPa（相對氣壓）； · 由于氣瓶內部氣壓較高，所以向石英腔室通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，為了確保安全，建議使用壓力低于0.02MPa，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全； · 對于樣品加熱的實驗，不建議關閉法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數，若氣壓表示數大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發生（如爐管破裂，法蘭飛出等） · 我們不建議客戶使用易燃易爆和有毒的氣體，如果客戶工藝原因確實需要使用易燃易爆和有毒氣體，請客戶自行做好相關防護和防爆措施。由于使用易燃易爆和有毒氣體而造成的相關問題，本公司概不負責。 |
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| 應用說明 | · 這款緊湊型 1“ RF 磁控濺射鍍膜機設計用于在氧化物單晶基板上鍍膜氧化物薄膜，通常不需要高真空設置 · 氣瓶上應安裝兩級減壓閥（不包括在內），將氣體的輸出壓力限制在0.02MPa以下，以確保安全使用。請使用>5N純度的氬氣進行等離子濺射 · 為了獲得最佳的薄膜-基材粘合強度，請在涂布前清潔基材表面：
· 為了獲得最佳性能，非導電靶材必須安裝銅背板。請參閱下面的說明視頻，了解目標粘接 |
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皖公網安備 34012302000974號
