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La3Ga5SiO14 硅酸鎵鑭單晶
- 產品概述：
- 硅酸鎵鑭（Langasite）是一種屬于鎵鍺酸鹽家族的壓電晶體，具有32對稱類，其化學式為La3Ga5SiO14。該晶體采用直拉法生長，主要用于制造表面聲波器件、直接壓電效應傳感器和體聲波器件的晶圓。由于硅酸鎵鑭無熱釋電效應、性能無滯后、在熔點溫度（1470°C）以下不發生相變，且存在溫度補償切型，其特性在電信號受溫度影響顯著的應用場景中表現優異，因而被廣泛采用。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱型號
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·La3Ga5SiO14 硅酸鎵鑭晶體基片
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| 技術參數
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密度： | 5.74 g/cm3 | 熔點： | 1470℃ | 硬度： | 6.6 mohs | 介電常數： | ε11=19 ε33=50 | 壓電應變常數： | d12=6.1 d14= 5.4 | 電磁耦合系數(BAW)： | 15.8 % | 電磁耦合系數(SAW)： | 0.34 % | 生長方法： | 提拉法 |
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| 常規尺寸
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·dia2〞x 0.4 mm
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| 晶體缺陷
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·人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷
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| 標準包裝
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·1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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